-Infraraudonųjų spindulių LED lempos

503IRC-81L/14I80-30A

Mes supakavome šį 810 nm šviesos diodą su 5 mm skaidriu ir 30 laipsnių objektyvu. Tačiau infraraudonųjų spindulių spinduliuotės 5 mm infraraudonųjų spindulių šviesos diodams taip pat yra kitas pasirinkimas šiam per skylę turinčiam infraraudonųjų spindulių šviesos diodui, pavyzdžiui, mes galime supakuoti šį 810 nm šviesos diodą su šviesiai mėlynu skaidru objektyvu, juodu objektyvu ir tamsiai mėlynu objektyvu. Rinkoje 810 nm šviesos diodas gali būti naudojamas vaizdo kontrastui pagerinti, kad būtų lengviau skaityti modelius iš įrašytų vaizdų. Be to, fotoaparato jutikliai turi didesnį jautrumą esant 810 nm. Tai reiškia, kad tuo pačiu optiniu išėjimu fotoaparatų sistemos išplės diapazoną, palyginti su 850 nm sistema. 810 nm šviesos diodai taip pat plačiai naudojami kai kuriems medicinos aparatams ir instrumentams. Ar jūsų projektui reikia kokių 5 mm 810 nm? Susisiekite su mumis! Yra jūsų pasirinktų tipų lęšiai, spinduliuotė, formos, dydis.

- Size: 5 mm - Chip Number: 1 chips - Color: 810nm  - Type: water clear - Chip brand: Tyntek

- Different color are available - Different wavelength are available - Warranty: 5 Years - RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output - Long life-solid state reliability - Low Power consumption -Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance

- 5 mm infraraudonųjų spindulių šviesos diodo dydis -

* Ši byla taip pat yra prieinama kitų LED, tokių kaip: 5mm žalias kiaurymės LED UV LED 660nm LED, 940nm LED 5mm mėlynas kiaurymės LED, geltona LED, gintaro LED ect *

- Veikiantis IR skylės šviesos diodas -

*Spalvos nuotraukoje buvo nufotografuotos fotoaparatu, standartiškai naudokite faktinę spinduliuojančią spalvą.

- Per skylę esantis IR LED parametras -

Absoliutus maksimalus įvertinimas esant Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating	Unit
Power Dissipation	Pd	100	mW
Pulse Forward Current	IFP	1000	mA
Forward Current	IF	100	mA
Reverse Voltage	VR	5	V
Junction Temperature	Tj	115	°C
Operating Temperature	Topr	-40 ~ +80	°C
Storage Temperature Range	Tstg	-40 ~ +100	°C
Soldering Temperature	Tsol	260	°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000	V
Service life under normal conditions	Time	80000	H
Warranty	Time	5	Years
Antistatic bag	Piece	1000	Back

*Impulsų persiuntimo srovės būsena: 1% pareiga ir pulso plotis = 10us.

*Litavimo sąlygos: Lituoti reikia 260 ° C temperatūroje per 3 sekundes

Parameter	Symbol		Min		Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF			1.4		2.2	V	IF=100mA
	VFP			2.5		3.5		IFP=1000mA

Radiant Intensity	IE	75		90	mW/sr	IF=100mA
			250			IFP=1000mA
Total Radiated Power	PO		200		mw	IF=100mA
			2000			IFP=1000mA
Peak Wavelength	λP	800	805	810	nm	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±15		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	tr		15		ns	IF=100mA
Fall Time	tf		6		ns	IF=100mA

* Šviesos intensyvumas matuojamas ZWL600.

* q 1/2 yra kampas nuo ašies, kuriuo šviesos intensyvumas yra pusė ašinio šviesos intensyvumo.

* l P yra gautas iš CIE spalvų diagramos ir reiškia vieną bangos ilgį, kuris apibrėžia prietaiso spalvą.

- Auksinės vielos sujungimas -

* Siekiant išlaikyti ilgą šviesos diodų tarnavimo laiką, „BestLED“ gamykla naudoja aukštos grynos aukso vielą vidinei grandinės jungčiai

- IR LED pakuotė -

*Mes galime supakuoti šį šviesos diodą su bet kokiu kiekiu pakuočių ir užklijuoti arba sulenkti LED kaiščius, kaip reikalaujama.

- Susijęs infraraudonųjų spindulių šviesos diodas -

- Gamybos procesas -

- T skylės IR šviesos diodas -